因为光刻模板、透镜、光源共同决定了“印”在光刻胶上晶T管的尺寸大小。
将涂好光刻胶的硅片放入步进重复曝光机的曝光装置中进行掩模图形的“复制”。
掩模中有预先设计好的电路图案，紫外线透过掩模经过特制透镜折S後，在光刻胶层上形成掩模中的电路图案。
一般来说，在硅片上得到的电路图案是掩模上的图案1/10、1/5、1/4，因此步进重复曝光机也称为“缩小投影曝光装置”。
而决定步进重复曝光机X能有两大要素：一个是光的波长，另一个是透镜的数值孔径。
如果想要缩小硅片上的晶T管尺寸，就需要寻找能合理使用的波长更短的光(EUV，极紫外线)和数值孔径更大的透镜(受透镜材质影响，有极限值)。
溶解部分光刻胶，对曝光後的硅片进行显影处理。
以正光刻胶为例，喷S强硷X显影Ye後，经紫外光照S的光刻胶会发生化学反应，在硷溶Ye作用下发生化学反应，溶解於显影Ye中，而未被照S到的光刻胶图形则会完整保留。
显影完毕後，要对硅片表面的进行冲洗，送入烘箱进行热处理，蒸发水分以及固化光刻胶。
然後进入蚀刻阶段。
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